Savjeti za korištenje bipolarnog tranzistora s izoliranim vratima

Bipolarni tranzistor s izoliranim vratima (IGBT) naponski je{0}}upravljani sklopni uređaj koji se široko koristi u elektroničkim sustavima srednje{1}} do-velike snage, kombinirajući prednosti visoke ulazne impedancije MOSFET-a i jednostavnog pogona s niskim padom napona vodljivosti BJT-a i visokom{3}}sposobnošću prijenosa struje.

 

Osnovne točke korištenja
Zahtjevi za pogonski napon
IGBT-ovi su uređaji-kontrolirani naponom. Napon od +12V do +18V (tipična vrijednost) trebao bi se primijeniti između vrata i emitera da bi se uključio; za isključivanje, 0V ili negativni napon (kao -5V do -15V) može se primijeniti kako bi se poboljšala sposobnost zaštite od smetnji i ubrzalo isključivanje.

 

Pogonski napon vrata ne smije premašiti ±20 V, inače bi se oksidni sloj vrata mogao oštetiti.

 

Odabir nazivne struje i napona
IGBT mogu podnijeti struje od nekoliko stotina ampera (na primjer, preko 500 A) i napone od nekoliko tisuća volti. Pri odabiru treba ostaviti marginu od 20%~30% kako bi se izbjeglo oštećenje zbog prenapona ili prekostruje.